可测参数：Ciss/Coss/Crss/Rg MOS管结电容测试

可测器件：IGBT，二极管，氮化镓、碳化硅MOSFET等

测试频率：1MHz

测试电压范围：Vds 0~1200V，Vgs ±25V

信号电压范围：1mV~1000mV

Rg范围：≤300Ω

测试精度：0.01pf

华科智源栅极电阻/栅极电容测试仪特点：

1，测试速度快。

2，可点测和扫描曲线。

3，测试精度高，测试结果稳定。

4，可随时保存数据和波形，可直接生成规格书用的图片或CSV描点文件。