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多晶硅硅料回收后的清洗方法，将多晶硅硅料置于混合酸液中进行避光浸泡1分钟～10分钟，混合酸液温度为30℃～35℃，后捞取，用纯水冲洗，再经超声冲洗、压缩空气鼓泡后烘干；混合酸液为腐蚀液，配比为硝酸∶氢氟酸∶冰乙酸的溶液体积比为57∶18∶25；硝酸浓度为68％～72％，氢氟酸浓度为38％～41％，冰乙酸浓度为99.8％～99.9％；纯度等级为MOS级或UP级。将多晶硅硅料置于混合酸液中避光浸泡前，可以在氢氟酸液中进行避光预浸泡，也可以先在溶解光阻的溶剂中进行避光浸泡。用本方法清洗的多晶硅硅料，表面光洁，无酸渍、水渍，其优点为清洗效果好，清洗成本低，操作难度低，易于控制清洗质量，提高了清洗收率。

单晶硅主要用于制作半导体元件。

用途： 是制造半导体硅器件的原料，用于制大功率整流器、大功率晶体管、二极管、开关器件等

熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成许多晶核，如果这些晶核长成晶面取向相同的晶粒，则这些晶粒平行结合起来便结晶成单晶硅。

单晶硅的制法通常是先制得多晶硅或无定形硅，然后用直拉法或悬浮区熔法从熔体中生长出棒状单晶硅。

单晶硅棒是生产单晶硅片的原材料，随着国内和国际市场对单晶硅片需求量的快速增加，单晶硅棒的市场需求也呈快速增长的趋势。

单晶硅圆片按其直径分为6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（450毫米）等。直径越大的圆片，所能刻制的集成电路越多，芯片的成本也就越低。但大尺寸晶片对材料和技术的要求也越高。单晶硅按晶体伸长方法的不同，分为直拉法（CZ）、区熔法（FZ）和外延法。直拉法、区熔法伸长单晶硅棒材，外延法伸长单晶硅薄膜。直拉法伸长的单晶硅主要用于半导体集成电路、二极管、外延片衬底、太阳能电池。晶体直径可控制在Φ3~8英寸。区熔法单晶主要用于高压大功率可控整流器件领域，广泛用于大功率输变电、电力机车、整流、变频、机电一体化、节能灯、电视机等系列产品。晶体直径可控制在Φ3~6英寸。外延片主要用于集成电路领域。

由于成本和性能的原因，直拉法（CZ）单晶硅材料应用广。在IC工业中所用的材料主要是CZ抛光片和外延片。存储器电路通常使用CZ抛光片，因成本较低。逻辑电路一般使用价格较高的外延片，因其在IC制造中有更好的适用性并具有消除Latch－up的能力。

硅片直径越大，技术要求越高，越有市场前景，价值也就越高。

硅片，简单来讲就是用硅制成的片，所以叫硅片，它主要是用在晶体硅光伏电池中，它质量方面的要求是很高的，表面不能有损伤等缺陷，比如弯曲、凹凸或者厚度不均匀等。并且硅在切割过程中，要注意切割方式和方法，尽量减少硅原料的消耗量。

硅片回收，就是对硅片进行回收，以便进行硅的二次利用，从而避免其污染环境，并能够提高硅的利用率。

硅片回收及加工过程，包括了很多步骤，但总的要求是：

(1)能够修正一些物理性能，包括尺寸、形状、平整度等方面；

(2)避免出现表面损伤，消除表面的脏污或者颗粒。

它的工序，主要有：

切片：就是将硅棒切成薄硅片，具有一定的几何尺寸。

退火：让硅片表面发生氧化反应，通过氧化炉，使其表面形成二氧化硅保护层。

倒角：硅片进行修整，修整成圆弧形，避免产生缺陷，增加其平坦度。