深圳市佳日丰电子材料有限公司

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高导热氮化铝陶瓷片,电源芯片氮化铝散热陶瓷绝片

2020-04-20 02:06:44  538次浏览 次浏览
价 格:3

氮化铝具有超高的导热性(是氧化铝陶瓷的5-10倍),较低的介电常数和介质损耗,可靠的绝缘性能,优良的力学性能、、耐高温与化学腐蚀,且与硅的热膨胀系数相近,广泛应用于通讯器件、 高亮度LED、电力电子器件等行业。我司可按客户要求定制各种规格产品。

特能特点:

由于具有优良的热、电、力学性能。氮化铝陶瓷引起了国内外研究者的广泛关注,随着现代科学技术的飞速发展,对所用材料的性能提出了更高的要求。氮化铝陶瓷也必将在许多领域得到更为广泛的应用!

产品主要应用:

氮化铝陶瓷基板广泛应用于混合集成电路互连基板、微波器件、光电通信、传感器、MCM等领域。包括光电器件基板、陶瓷载体、激光器载体、片式电容、片式功率分配器、传感器、叉指电容和螺旋电感等。

常规尺寸:

0.38mm*114mm*114mm/0.5mm*114mm*114mm 0.635mm*114mm*114mm/1mm*114mm*114mm/1mm*120mm*120mm 0.5mm*120mm*120mm/0.635mm*120mm*120mm

1.5mm*120mm*120mm

产品性能参数表

测试项目 /单位

数值

测试项目 /单位

数值

材质

AlN-A

AlN-B

Al2O3

材质

AlN

AlN

Al2O3

体积密度(g/cm3)

3.335

3.32

3.6

体积电阻(Ω.cm)

1.4×1014

1.4×1013

1.4×1014

抗热震性

无裂纹、炸裂

抗弯强度(Mpa)

382.7

335

380

化学稳定性(mg/cm3)

0.97

0.97

0.97

热膨胀系数 (/℃,5℃/min,20~300℃)

2.805×10。6

2.805×10。6

6.9×10。6

击穿电压强度(kv/mm)

18.45

18.45

15

粗糙度Ra(μm)

0.3~0.5

0.3~0.5

0.2~0.4

介电常数(1MHz)

8.56

8.56

9.5

导热系数(W/m-k)

180~190

190~210

20~28

产品颜色

暗灰色

暗灰色

白色

翘曲度(length‰)

≤2‰

≤2‰

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